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德国推新集成电路芯片密封管壳 |
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摘要:德国推新集成电路芯片密封管壳 |
德国肖特电子封装业务部和德国卫星通信系统和设备制造商Tesat-Spacecom公司合作开发出满足宇航应用的密封管壳,并已从今年5月起用于欧空局(ESA)的微型地球观测卫星Proba-V。
该管壳首次用于使用氮化镓(GaN)功率放大器单片毫米波集成电路(MMIC)芯片的封装。德国肖特和Tesat-Spacecom公司为封装管壳中的热沉研究出最适宜的材料和几何形状,并在管壳中以密封高温共烧陶瓷(HTCC)多层陶瓷结构作为高频通道,因此将插入损耗和反射高频波降至最低。 Proba-V的通信系统重约140公斤,体积为1m3,包括一个基于GaN的特制微波放大器(首次用于欧洲卫星),可用于在800km的高度、X波段(8GHz)传输照片,以监控地球上的植被。肖特公司估计,GaN可将信号强度和数据传输能力能力提高5~10倍,将做为通信系统中高性能材料。肖特公司补充道,MMIC放大器芯通过表面传递性能的有效范围只有几平方毫米,因此需要新型封装方式。 MMIC放大器芯片被安装在一个由肖特和Tesat-Spacecom公司联合研发的密封管壳中。由于陶瓷至金属通路的设计,高频波能够以非常低的衰减穿透管壳壁,因此将功耗(插入损耗)和反射损失降至最低。 肖特电子封装研发工程师ThomasZetterer说:“通过对电磁波的模拟和与制造方面的紧密合作,我们为这种特殊通路提供了最佳的几何图形和设计。” 管壳的第二个特性是底板的高导热性,可有效释放MMIC放大器内部产生的热量。为了做到这点,肖特和Tesat-Spacecom的研发团队研究出热沉的最佳材料和几何形状。公司表示,下一步将继续研究能够提供更高散热效率的材料,并在更高微波功率应用中进行测试。 Tesat-Spacecom组长EberhardMss评论说“和肖特公司合作使我们能够获得未来GaN放大器所急需的高热导封装。” |
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